刘三姐，湖南邵阳人，博士，讲师，304am永利集团官网青年骨干教师，岳阳
市“小荷”人才支持计划人选。
一、教育背景与工作经历
2014
年毕业于遵义师范学院物理与机电工程系物理学专业，获理学学士
学位；
2020
年毕业于北京科技大学数理学院物理学专业，获博士学位（硕博连
读）；
2020
年至今在304am永利集团官网从事教学科研工作。
研究方向
：半导体物理
研究内容
：低温等离子体增强型原子层沉积高品质
AlN
和
GaN
薄膜，采
用衬底表面原位处理的方法对界面进行调控，并研究其生长机理，围绕生长
过程中可能出现的杂质、外延等沉积难点和热点问题进行集中研究。
二、教学情况
主讲课程：
《大学物理》《集成电路工艺原理》
三、主持科研项目
1.
国家自然科学基金青年项目，异质外延
GaN
的界面调控方法及其机理研
究，批准号：
62304077, 2024.1-2026.12,
主持
,
在研
.
2.
湖南省自然科学基金青年项目，石英玻璃衬底上原子层沉积
GaN
薄膜及
其在
LED
器件中的应用研究，批准号：
2022JJ40163, 2022.1-2024.12,
主持
,
在研
.
三、 代表性学术成果
[1]
Sanjie Liu
et al. Plasma-enhanced Atomic Layer Deposition of Crystalline
GaN Thin Films on Quartz Substrates with Sharp Interfaces [J]. Journal of
Vacuum Science and Technology A. 2023, 41(5): 052405.
(SCI)
[2]
Sanjie Liu
et al. Structural, Surface, and Optical Properties of AlN Thin Films
Grown on Different Substrates by PEALD. Crystals, 2023, 13(6): 910.
(SCI)
[3]
Sanjie Liu
et al. Baking and plasma pretreatment of sapphire surfaces as a way
to facilitate the epitaxial plasma-enhanced atomic layer deposition of GaN thin
films [J]. Applied Physics Letters, 2020, 116(21): 1601.
(SCI)
[4]
Sanjie Liu
et al. Interfacial Tailoring for the Suppression of Impurities in GaN
by In-situ Plasma Pretreatment via Atomic Layer Deposition [J]. ACS applied
materials & interfaces, 2019, 11(38): 35382-35388.
(SCI)
[5]
Sanjie Liu
et al. PE-ALD-deposited crystalline GaN films on Si (100)
substrates with sharp interfaces [J]. Chinese Physics B, 2019, 28(2): 026801.
(SCI)
[6]
Sanjie Liu
et al. PE-ALD-Grown Crystalline AlN Films on Si (100) with
Sharp Interface and Good Uniformity [J]. Nanoscale research letters, 2017, 12(1):
279.
(SCI)
